IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品销售三菱HVIGBT模块CM800E6C-66H

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate

       CM800E2C-66H  CM800E4C-66H

　　CM800E6C-66H  CM400HG-66H

　　CM1200HG-66H  CM400HB-90H

　　CM600HB-90H   CM900HB-90H

　　CM600HG-130H

IGBT模块以其驱动电路的小型化、系统的轻型和效率化，使用于电气铁路和大型产业机器等需要高耐压、大电流的功率电子设备，正在取代已往使用的晶闸管、GTO。推出HV（High Voltage）IGBT模块产品阵容。

特长

• 采用平面IGBT
• 采用软恢复二极管
• AlSiC基板
• 高绝缘包装（Viso 10.2kV,AC 1min）也是产品阵容
• 工作温度范围的扩大

主要用途

变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置