MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口，并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压封锁，以及通过设定死区时间的逻辑互锁来作为交叉导通保护。MiniSKiiP IPM适用于工业以及日常消费的应用

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

PM300CLA120三菱IPM模块，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

西门康IPM模块SKiiP603GD172-3DUL V3 赛米控IGBT模块SKiiP603GD172-3DUL V3

西门康IPM模块SKiiP2403GB172-4DL MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口，并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压

1200V / 50A 7 in one-package